怎么选场效应管？冠华伟业来帮您
发布日期:2021-05-24
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场效应管有N沟道和P沟道两种类型。在功率系统中，场效应管可以看作是电气开关。在N沟道场效应管的栅极和源极之间加入正电压时，其开关导通。导通的时候，电流可以通过开关从漏极流向源极。漏极和源极之间存在内阻，称为导通电阻RDS(ON)。
MOS管作为电气系统的基本部件，冠华伟业告诉您如何根据参数做出正确的选择？
一、沟道选择
为设计选择正确器件的第一步就是确定使用N沟道还是P沟道场效应管。在功率应用中，一个场效应管接地，而负载连接到干线电压时，场效应管就会形成低压侧开关。在低压侧开关中应该采用N沟道场效应管，这是由于对关闭或导通器件所需电压的考虑。当场效应管连接到总线和负载接地连接时，应采用高电压侧开关。
二、选择电压和电流
额定电压越大，设备成本越高。根据实践经验，额定电压应大于干线电压或总线电压。只有这样，才能提供足够的保护，防止场效应管失效。在选择场效应管时，需要确定漏极至源极之间的最大电压。
在连续导通模式下，场效应管处于稳定状态，此时电流连续通过设备。脉冲尖峰是指有大量电涌(或峰值电流)流过器件。一旦在这些条件下确定最大电流，只要选择能够承受最大电流的器件。
三、导通损耗
因为导通电阻随着温度的变化而变化，所以功率损耗也会按比例变化。对于便携式设计来讲，使用较低的电压更常见，而对于工业设计来讲，则可使用较高的电压。
四、系统散热要求
关于系统散热要求，冠华伟业提醒您，必须要考虑两种不同的情况，即最坏情况和真实情况。使用最坏的计算结果，因为这种结果提供了更大的安全余量，可以保证系统不会失效。
场效应管以其功耗低、性能稳定、抗辐射能力强等优点，在集成电路中逐渐取代了三极管。但是它还是很娇贵的，虽然大部分已经内置了保护二极管，但是如果不注意，也会损坏。因此，最好在应用中也需要小心。
冠华伟业主营：MOSFET，MCU，IGBT等器件，产品广泛用于军工、工业控制，新能源，医疗产品，5G，物联网，智能家居、及各种消费类电子产品。如果您有相关需求，欢迎随时与我们联系。
MOS管作为电气系统的基本部件，冠华伟业告诉您如何根据参数做出正确的选择？
一、沟道选择
为设计选择正确器件的第一步就是确定使用N沟道还是P沟道场效应管。在功率应用中，一个场效应管接地，而负载连接到干线电压时，场效应管就会形成低压侧开关。在低压侧开关中应该采用N沟道场效应管，这是由于对关闭或导通器件所需电压的考虑。当场效应管连接到总线和负载接地连接时，应采用高电压侧开关。
二、选择电压和电流
额定电压越大，设备成本越高。根据实践经验，额定电压应大于干线电压或总线电压。只有这样，才能提供足够的保护，防止场效应管失效。在选择场效应管时，需要确定漏极至源极之间的最大电压。
在连续导通模式下，场效应管处于稳定状态，此时电流连续通过设备。脉冲尖峰是指有大量电涌(或峰值电流)流过器件。一旦在这些条件下确定最大电流，只要选择能够承受最大电流的器件。
三、导通损耗
因为导通电阻随着温度的变化而变化，所以功率损耗也会按比例变化。对于便携式设计来讲，使用较低的电压更常见，而对于工业设计来讲，则可使用较高的电压。
四、系统散热要求
关于系统散热要求，冠华伟业提醒您，必须要考虑两种不同的情况，即最坏情况和真实情况。使用最坏的计算结果，因为这种结果提供了更大的安全余量，可以保证系统不会失效。
场效应管以其功耗低、性能稳定、抗辐射能力强等优点，在集成电路中逐渐取代了三极管。但是它还是很娇贵的，虽然大部分已经内置了保护二极管，但是如果不注意，也会损坏。因此，最好在应用中也需要小心。
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