冠华伟业为你解读MOS管各项参数！

　　MOS管作为半导体领域最基础的器件之一，无论是在 IC 设计里，还是板级电路应用上，都十分广泛，那么你对MOS管的各项参数，有了解多少呢？冠华伟业作为中低压MOS专注商，为你详解关于MOS管的各项参数！

　　

　　

　　在特定的温度和栅源极短接情况下，流过的漏极电流达到一个特定值（急剧猛增）时的漏源电压。这种情况下的漏源电压也称为雪崩击穿电压。VDSS属于正温度系数，  -50°C时， VDSS大约是25°C时的90%。由于正常生产中通常会留有预量，MOSFET的雪崩击穿电压总是大于标称的额定电压。

　　

　　冠华伟业温馨提示：为保证产品可靠性，在最坏的工作条件下，建议工作电压不要超过额定值的80~90%。

　　

　　

　　是指栅源间反向电流开始急剧增加时的VGS值。超过此电压值将会使栅氧化层发生介质击穿，这是一种破坏性的不可逆击穿。

微硕TO-252封装MOS管

　　

　　

　　是指场效应管正常工作时，漏源间所允许通过的最大电流。MOSFET的工作电流不应超过ID。此参数会随结温度的上升而有所减额。

　　

　　

　　反映了器件可以处理的脉冲电流的高低 ，此参数会随结温度的上升而有所减小。若是该参数过小,系统在做OCP测试时,有被电流击穿的风险。

　　

　　

　　是指场效应管性能不变坏时所允许的最大漏源耗散功率。使用时，场效应管实际功耗应小于PDSM并留有一定余量。此参数一般会随结温度的上升而有所减额。

　　

　　

　　这两个参数标定了器件工作和存储环境所允许的结温区间。设定这样的温度范围是为了满足器件最短工作寿命的要求。如果确保器件工作在这个温度区间内，将极大地延长其工作寿命。